Tytuł:

Static and dynamic parameters trade-off of Si p-n-junctions irradiated by fast electron under reverse bias at low temperature (77 K)

Autor:

Zhdanovich, N. E. ; Korshunov, Fedor Pavlovich ; Marchenko, I. G.

Temat i słowa kluczowe:

silicon p-n-junctions ; irradiation ; fast electron

Opis:

artykuł z : Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, Sectio AAA, Physica, Vol. 55/56 (2000/2001), s. 53-61

Wydawca:

Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej (Lublin)

Miejsce wydania:

Lublin

Współtwórca:

Wysokiński, Karol Izydor (1951- ). Red.

Data wydania:

2001

Typ zasobu:

artykuł

Format:

image/x.djvu

Źródło:

Zasoby Biblioteki Głównej UMCS

Język:

eng

Powiązania:

Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, Sectio AAA, Physica, Vol. 55/56 (2000/2001)

Prawa:

Biblioteka Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej